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?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, June 2003
BF256A/BF256B/BF256C
Absolute Maximum Ratings Ta=25°Cunless otherwise noted
Electrical Characteristics Ta=25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VDG
Drain-Gate Voltage 30 V
VGS
Gate-Source Voltage -30 V
IGF
Forward Gate Current 10 mA
PD
Total Device Dissipation @TA=25°C
350
mW
Derate above 25°C
2.8
mW/°C
TSTG
Operating and storage Temperature Range - 55 ~ 150
°C
Symbol Parameter Test Condition Min. Max. Units
Off Characteristics
V(BR)GSS
Gate-Source Breakdown Voltage VDS
= 0, I
G
= 1
μA-30V
VGS
Gate-Source VDS
= 15V, I
D
= 200
μA -0.5 -7.5 V
VGS(off) Gate-Source Cutoff Voltage VDS
= 15V, I
D
= 10nA -0.5 -8 V
IGSS
Gate Reverse Current VGS
= -20V, V
GS
= 0 -5 nA
On Characteristics
IDSS
Zero-Gate Voltage Drain Current
BF256A
BF256B
BF256C
VGS
= 15V, V
GS
= 0 3
6
11
7
13
18
mA
Small Signal Characteristics
gfs Common Source Forward Transconductance VDS
= 15V, V
GS
= 0, f = 1KHz 4.5 mmhos
BF256A/BF256B/BF256C
N-Channel RF Amplifiers
 This device is designed for VHF/UHF amplifiers.
 Sourced from process 50.
TO-92
1. Gate 2. Source 3. Drain
1
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